安森美推垂直氮化鎵，損耗降近50%

10月31日，安森美（onsemi）宣布推出垂直氮化鎵（vGaN）功率半導(dǎo)體，這一創(chuàng)新產(chǎn)品在降低能量損耗方面成效顯著，損耗減少近50%。

在超高壓器件領(lǐng)域，安森美的垂直氮化鎵（vGaN）采用GaN-on-GaN技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了電流垂直流過(guò)芯片，而非傳統(tǒng)的沿表面橫向流動(dòng)。這種創(chuàng)新的電流傳導(dǎo)方式是降低能量損耗和熱量的關(guān)鍵所在。

當(dāng)下，人工智能數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車(chē)等高能耗應(yīng)用領(lǐng)域?qū)δ茉吹男枨笕找嬖鲩L(zhǎng)，對(duì)功率密度、效率和耐用性也提出了更高要求。安森美的垂直氮化鎵功率半導(dǎo)體適時(shí)推出，為這些領(lǐng)域帶來(lái)了新的解決方案。

目前，安森美已向早期客戶(hù)提供700V和1200V器件樣品。該技術(shù)由安森美位于紐約州錫拉丘茲的晶圓廠研發(fā)制造，企業(yè)擁有超130項(xiàng)全球?qū)＠采w垂直GaN技術(shù)的眾多方面。

安森美半導(dǎo)體企業(yè)戰(zhàn)略高級(jí)副總裁Dinesh Ramanathan表示，垂直氮化鎵技術(shù)將改變行業(yè)格局，鞏固安森美在能效和創(chuàng)新領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。在電氣化和人工智能重塑各行業(yè)的當(dāng)下，能效成為關(guān)鍵競(jìng)爭(zhēng)因素，垂直氮化鎵技術(shù)納入功率產(chǎn)品組合，為客戶(hù)實(shí)現(xiàn)卓越性能提供了有力工具。

安森美垂直氮化鎵技術(shù)旨在處理單片芯片中的高電壓（1200伏及以上），能在高頻下高效切換大電流。采用該技術(shù)構(gòu)建的高端電源系統(tǒng)，不僅大幅降低損耗，還因更高的工作頻率，可大幅縮小器件尺寸，包括電容器和電感器等無(wú)源器件。而且，與市售的橫向GaN器件相比，vGaN器件尺寸約只有其三分之一，為相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)更小巧、輕便的系統(tǒng)提供了可能。