國產(chǎn)提速 華虹高功率車規(guī)級IGBT量產(chǎn)

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近日，華虹半導(dǎo)體與斯達半導(dǎo)體在“華虹半導(dǎo)體車規(guī)IGBT、12英寸IGBT量產(chǎn)儀式”上簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，宣布雙方制造的大功率車規(guī)IGBT芯片通過終端車企產(chǎn)品驗證，進入動力單元等汽車應(yīng)用市場。

華虹半導(dǎo)體在12英寸生產(chǎn)線上成功建立了IGBT晶圓生產(chǎn)工藝，產(chǎn)品成功通過客戶認證，成為全球首家在8英寸和12英寸生產(chǎn)線上批量生產(chǎn)先進溝槽柵電場截止IGBT的純晶圓代工企業(yè)。目前，華虹半導(dǎo)體12英寸IGBT的產(chǎn)量已突破萬片。去年，斯達半導(dǎo)體生產(chǎn)的汽車級IGBT模塊總計生產(chǎn)了20多萬輛新能源汽車。

思道一直致力于IGBT芯片設(shè)計和IGBT模塊的設(shè)計、制造和測試。用于燃油車微混系統(tǒng)的斯達半導(dǎo)體48V BSG功率模塊去年實現(xiàn)了大批量裝車應(yīng)用，累計節(jié)能燃油車超過10萬輛。去年，斯達半導(dǎo)體基于第六代Trench Field Stop技術(shù)的1200V IGBT芯片也在12英寸生產(chǎn)線上成功研發(fā)，并已開始量產(chǎn)。同年成功研發(fā)的SGT MOSFET有望在今年開始批量供貨。

未來，思道將繼續(xù)在新能源汽車和燃油車半導(dǎo)體器件市場發(fā)力，在新能源汽車驅(qū)動控制器領(lǐng)域為客戶提供全功率范圍的IGBT模塊，繼續(xù)加大SiC功率芯片的研發(fā)力度，盡快推出符合市場需求的車用規(guī)格的自主SiC芯片，完善輔助驅(qū)動和車用電源市場的產(chǎn)品布局。