日本GE Toshiba Silicone上市了與原產品相比可將漏油量減小約75％的散熱用硅滑潤油“TIG210BX”。設想用于微處理器或功率半導體等與散熱板等散熱部件的接合面，以提高散熱性。主要面向個人電腦、服務器、車載設備和電源模塊等。高溫環境下使用時半導體和散熱板的熱傳導性惡化——此前一直面臨的導致漏油的問題，有望通過硅滑潤油的使用而得以解決。熱傳導率為2.1W/m·K、熱阻抗在使用厚45μm的硅滑潤油膜時為18mm2·K/W，確保了與原來的硅滑潤油同等的性能。粘性指標--張性為340，粘性低、易處理。預定在2006年4月19日～21日于幕張MESSE國際會展中心舉行的“第8屆散熱技術展”上展出。
散熱用硅滑潤油在硅油中添加使用金屬氧化物的導電性微粒子。通過在散熱板和半導體間使用硅潤滑油，散熱板和半導體的接合面上厚幾十μm的硅潤滑油膜沒有任何間隙，半導體所產業的熱量可以高效地傳導給散熱板。不過，原來的硅潤滑油在高溫設備上使用時，存在著硅油和填料向外泄漏的問題。這樣一來，散熱板和半導體的接合面就會產生空孔，導致半導體向散熱板傳導熱量性能的惡化。而且還存在著泄漏出來的硅潤滑油導致印刷電路板上的布線短路的問題。因此，高溫環境下使用的設備中，大多使用散熱片來連接半導體和散熱板。不過，如果散熱板和半導體的接觸面如果存在凹凸的話，散熱片上就容易產業空孔，出現熱量難以散出的問題。
此次的硅潤滑油分別在硅油和填料上做了改進。硅油改用不提高粘性也可減小滲漏的高分子結構。填料方面，調整了金屬氧化物的表面處理，可在不凝結的前提下分散到硅油中。藉此確保了硅潤滑油膜的散熱均勻性。
GE Toshiba Silicone已經開發完成了可以比此次產品進一步減小滲漏的散熱用硅潤滑油“XS50-C2351”，如果有客戶需求的話，將隨即上市（圖1）。與原來相比，可減小漏油近90％。熱傳導率為1.5W/m·K，熱阻抗在膜厚50μm時為24mm2·K/W。張性為290，與340的TIG210BX相比，粘性要高出一些。
